通过扫描电镜发现的陶瓷电介质微观形貌，可以看到失效的样貌和原样相比不仅颜色发生变化，而且有裂纹和不完整的的存在。陶瓷介质中存在 些大小不等的微小孔洞，等效于介质厚度减小，可能会降低电容器的击穿 缘强度。
内电 之间是陶瓷介质，陶瓷介质中分布着 -些大小不等的微小孔洞，在高温下电 非常容易扩散迁移，扩散到陶瓷介质中，在潮湿和杂质离子的作用下，这些孔洞成为电 迁移的通道，从而导致电容器的 缘电阻下降，漏电流增大，出现电容器击穿，烧毁失效。
我们对金属电 的能谱分析，表明失效电容的电 中碳和氧的含量增加了，说明金属电 发生了氧化并却有新的含碳的化合物生成，这会导致陶瓷电容的损耗角正切值D增加， 缘电阻增大，电容量漂移。间隔着具有半导体性质的氧化银，使无机介质电容器的等效串联电阻增大，金属部分损耗增加，电容器的损耗角正切值D显著上升。
通过分析陶瓷电容失效之后的情况可以更好得寻找避免失效的方法，这是很重要的。如您还有其它技术上的疑问可联系我们，我们竭力为您解决。以上资讯来自东莞市智旭电子有限公司研发部提供，更多资讯请大家移步至网站中智旭资讯中获取。