陶瓷电容器不仅可以耐高温、耐腐蚀，而且有较高的介电常数，这对当前集成电路对电容器小型化、高容量的要求是很适宜的。电容器的性能直接取决于陶瓷介质的性能，材料介电常数越大，抗电强度越高，则小型化程度越好。因此制造厂家在围绕提高瓷料性能和发展新材料方面竞相在积 开展工作。
人们开发出使用高介电常数的电容器陶瓷钛酸钡 氧化钛挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电 的方法制成陶瓷电容，这种做法的陶瓷电容介电常数高，但损耗大。虽然介电常数高对于减小电容器的尺寸 为有利，但损耗大将会引起瓷片发热，从而导致电容器的击穿。
陶瓷电容器的介质损耗主要由三部分组成:
1、玻璃相中的电导损耗这部分损耗主要是由玻璃中的离子引起的电导损耗。
2、晶相中的损耗它主要是由于晶界附近的晶格容易产生畸变和晶格问题，因而产生弱联系离子造成松池损耗。
3、结构不均匀性导致的附加夹层损耗。要降低电容器的介质损耗，主要是减小弱联系离子和弱束缚电子，目前的技术仍在研究发展着。
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